বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: IRF7754TR প্রস্তুতকারক: ইনফাইনন টেকনোলজিস
বর্ণনা: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSOP বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে সিরিজ: HEXFET®

IRF7754TR স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস অপ্রচলিত
FET প্রকার 2 পি-চ্যানেল (দ্বৈত)
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 12V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 5.5A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 900mV @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস 22nC @ 4.5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 1984pF @ 6V
শক্তি - সর্বোচ্চ 1W
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস 8-টিএসএসওপি (0.173", 4.40 মিমি প্রস্থ)
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ 8-টিএসএসওপি
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

IRF7754TR প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2IRF7754TR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ