বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: SH8K3TB1 প্রস্তুতকারক: রোহম সেমিকন্ডাক্টর
বর্ণনা: MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে

SH8K3TB1 স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস নতুন ডিজাইনের জন্য নয়
FET প্রকার 2 N-চ্যানেল (দ্বৈত)
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 30V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 7A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 2.5V @ 1mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস 11.8nC @ 5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 600pF @ 10V
শক্তি - সর্বোচ্চ 2W
অপারেটিং তাপমাত্রা 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস 8-SOIC (0.154", 3.90mm প্রস্থ)
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ 8-এসওপি
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

SH8K3TB1 প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2SH8K3TB1 ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ