বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: ZXMC3A16DN8TC প্রস্তুতকারক: ডায়োড নিগমিত
বর্ণনা: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে

ZXMC3A16DN8TC স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
FET প্রকার এন এবং পি-চ্যানেল
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 30V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 4.9A, 4.1A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 1V @ 250µA (মিনিট)
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস 17.5nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 796pF @ 25V
শক্তি - সর্বোচ্চ 1.25W
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস 8-SOIC (0.154", 3.90mm প্রস্থ)
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ 8-এসওপি
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

ZXMC3A16DN8TC প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2ZXMC3A16DN8TC ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ