|
পণ্যের বিবরণ:
|
| অংশ সংখ্যা: | RQ3E100BNTB | প্রস্তুতকারক: | রোহম সেমিকন্ডাক্টর |
|---|---|---|---|
| বর্ণনা: | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | বিভাগ: | ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক |
| পরিবার: | ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক |
| পার্ট স্ট্যাটাস | সক্রিয় |
|---|---|
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) |
| ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 30V |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে | 10A (Ta) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 2.5V @ 1mA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 22nC @ 10V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| FET বৈশিষ্ট্য | - |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 2W (Ta) |
| Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 150°C (TJ) |
| মাউন্ট টাইপ | গুফ |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | 8-HSMT (3.2x3) |
| প্যাকেজ/কেস | 8-পাওয়ারভিডিএফএন |
| জাহাজে প্রেরিত কাজ | ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস। |
| কন্ডিশন | নতুন আসল কারখানা। |
ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek
টেল: +8615017926135
